Tillverkare Produktnummer:
TSM2N60SCW RPG
Product Overview
Tillverkare:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
TSM2N60SCW RPG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventarier:
12897928
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TSM2N60SCW RPG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
600mA (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-223
Paket / Fodral
TO-261-4, TO-261AA
Grundläggande produktnummer
TSM2
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
TSM2N60SCW RPGCT-DG
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-DG
TSM2N60SCW RPGDKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STN3N45K3
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12537
DEL NUMMER
STN3N45K3-DG
ENHETSPRIS
0.34
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM150NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
TSM060N03CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
